Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.9mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 118
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 140,42
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
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$ 140,42
Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)
100
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
100 - 100 | $ 118 | $ 11.800 |
200 - 400 | $ 104 | $ 10.400 |
500 - 900 | $ 96 | $ 9.600 |
1000 - 1900 | $ 76 | $ 7.600 |
2000+ | $ 72 | $ 7.200 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.9mm
Datos del producto