MOSFET onsemi 2N7002WG, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-0472Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2N7002WT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

330 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,7 nC a 4,5 V

Profundidad

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.9mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 118

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

$ 140,42

Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi 2N7002WG, VDSS 60 V, ID 340 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 11.800
200$ 20.800
300$ 31.200
400$ 41.600
500$ 48.000
600$ 57.600
700$ 67.200
800$ 76.800
900$ 86.400
1000$ 76.000
1100$ 83.600
1200$ 91.200
1300$ 98.800
1400$ 106.400
1500$ 114.000

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100

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200$ 20.800
300$ 31.200
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600$ 57.600
700$ 67.200
800$ 76.800
900$ 86.400
1000$ 76.000
1100$ 83.600
1200$ 91.200
1300$ 98.800
1400$ 106.400
1500$ 114.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
100 - 100$ 118$ 11.800
200 - 400$ 104$ 10.400
500 - 900$ 96$ 9.600
1000 - 1900$ 76$ 7.600
2000+$ 72$ 7.200

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

330 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

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Profundidad

1.35mm

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Si

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