MOSFET onsemi 2N7002LT3G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 18.200
$ 91 Each (In a Pack of 200) (Sin IVA)
$ 21.658
$ 108,29 Each (In a Pack of 200) (IVA Inc.)
Estándar
200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 200 - 800 | $ 91 | $ 18.200 |
| 1000 - 1800 | $ 65 | $ 13.000 |
| 2000+ | $ 65 | $ 13.000 |
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3
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7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
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Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
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Si
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