MOSFET onsemi 2N7002LT1G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 3.800
$ 76 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 4.522
$ 90,44 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | $ 76 | $ 3.800 |
| 500 - 950 | $ 36 | $ 1.800 |
| 1000 - 2450 | $ 35 | $ 1.750 |
| 2500 - 4950 | $ 35 | $ 1.750 |
| 5000+ | $ 33 | $ 1.650 |
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SOT-23-5
Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
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1
Largo
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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Temperatura Mínima de Operación
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