Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 47
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 55,93
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 47
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$ 55,93
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | $ 47 | $ 141.000 |
6000 - 9000 | $ 45 | $ 135.000 |
12000 - 27000 | $ 45 | $ 135.000 |
30000 - 57000 | $ 44 | $ 132.000 |
60000+ | $ 42 | $ 126.000 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto