MOSFET onsemi 2N7002LT1G, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Volver a intentar más tarde
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.94mm
Temperatura Mínima de Operación
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