MOSFET onsemi 2N7002DW, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 166-1841Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2N7002DW
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

200 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.25mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

2mm

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 83

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$ 98,77

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1V

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Si

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2

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