MOSFET onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
200 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.3mm
Largo
2.92mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.93mm
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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$ 411.000
$ 137 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 489.090
$ 163,03 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | $ 137 | $ 411.000 |
| 9000 - 12000 | $ 134 | $ 402.000 |
| 15000 - 27000 | $ 129 | $ 387.000 |
| 30000 - 57000 | $ 126 | $ 378.000 |
| 60000+ | $ 123 | $ 369.000 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
Profundidad
1.3mm
Largo
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
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MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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