MOSFET onsemi 2N7000-D26Z, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 903-4074Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2N7000-D26Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-92

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-40 V, +40 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.2mm

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

5.33mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 278

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

$ 330,82

Each (In a Pack of 100) (IVA Inc.)

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1000 - 1900$ 243$ 24.300
2000 - 3900$ 237$ 23.700
4000+$ 232$ 23.200

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

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TO-92

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-40 V, +40 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.2mm

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

5.33mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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