Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Altura
15.75mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.53mm
País de Origen
China
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$ 450
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 535,50
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 535,50
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Altura
15.75mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.53mm
País de Origen
China