Transistor Darlington, 2N6045G, NPN 8 A, 100 V, HFE:2500, TO-220, 3 pines Simple

Código de producto RS: 178-4760Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2N6045G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

8 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

100 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

2500

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4.5 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

20µA

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.82mm

Profundidad

10.28mm

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Dimensiones del Cuerpo

15.75 x 10.28 x 4.82mm

Longitud:

15.75mm

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$ 611

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 727,09

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

Transistor Darlington, 2N6045G, NPN 8 A, 100 V, HFE:2500, TO-220, 3 pines Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 30.550
100$ 57.400
150$ 86.100
200$ 114.800
250$ 143.500
300$ 172.200
350$ 200.900
400$ 229.600
450$ 258.300
500$ 280.000
550$ 308.000
600$ 336.000
650$ 364.000
700$ 392.000
750$ 420.000

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50 - 50$ 611$ 30.550
100 - 450$ 574$ 28.700
500 - 950$ 560$ 28.000
1000+$ 546$ 27.300

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Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

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3

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Ganancia Mínima de Corriente DC

2500

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4.5 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

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2 V

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20µA

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.82mm

Profundidad

10.28mm

Disipación de Potencia Máxima

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