Par Darlington, 2N6040G, PNP 8 A, 60 V, HFE:100, TO-220AB, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.75mm
Altura
4.82mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Profundidad
10.28mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
5
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PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
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3
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.75mm
Altura
4.82mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Profundidad
10.28mm
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