Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
200
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
200
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.