Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorFrecuencia de Conmutación Máxima
250 kHz
Tensión de Salida
5.05 V
Output Current
1 A
Método de Control
Current
Tipo de montaje
Through Hole
Tiempo de Bajada
150ns
Tipo de Encapsulado
DIP
Tiempo de Subida
150ns
Conteo de Pines
8
Topología
Impulso, retorno
Ciclo de Trabajo Máximo
96%
Dimensiones del Cuerpo
8.75 x 4 x 1.5mm
Longitud:
8.75mm
Profundidad
4mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-25 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorFrecuencia de Conmutación Máxima
250 kHz
Tensión de Salida
5.05 V
Output Current
1 A
Método de Control
Current
Tipo de montaje
Through Hole
Tiempo de Bajada
150ns
Tipo de Encapsulado
DIP
Tiempo de Subida
150ns
Conteo de Pines
8
Topología
Impulso, retorno
Ciclo de Trabajo Máximo
96%
Dimensiones del Cuerpo
8.75 x 4 x 1.5mm
Longitud:
8.75mm
Profundidad
4mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-25 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.