Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
15µs
Typical Rise Time
15µs
Number of Channels
1
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
80 °
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Dimensiones del Cuerpo
3.2 x 2.2 x 1.1mm
Corriente del Colector
0.5mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
860nm
Rango Espectral de Sensibilidad
860 nm
Largo
3.2mm
Profundidad
2.2mm
Altura
1.1mm
Datos del producto
Fototransistor de infrarrojos QTLP610CPD
El fototransistor de infrarrojos QTLP610CPD de Fairchild Semiconductor se encuentra en un encapsulado de montaje en superficie (SMD) de ángulo recto. Con lente en cúpula de plástico transparente.
Características del QTLP610CPD:
Fototransistor NPN de silicio
Encapsulado de montaje superficial en ángulo recto
Lente en cúpula de epoxi transparente
Fotosensibilidad alta
Baja capacitancia de unión
Tiempo de respuesta rápido
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Brand
onsemiEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
15µs
Typical Rise Time
15µs
Number of Channels
1
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
80 °
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Dimensiones del Cuerpo
3.2 x 2.2 x 1.1mm
Corriente del Colector
0.5mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
860nm
Rango Espectral de Sensibilidad
860 nm
Largo
3.2mm
Profundidad
2.2mm
Altura
1.1mm
Datos del producto
Fototransistor de infrarrojos QTLP610CPD
El fototransistor de infrarrojos QTLP610CPD de Fairchild Semiconductor se encuentra en un encapsulado de montaje en superficie (SMD) de ángulo recto. Con lente en cúpula de plástico transparente.
Características del QTLP610CPD:
Fototransistor NPN de silicio
Encapsulado de montaje superficial en ángulo recto
Lente en cúpula de epoxi transparente
Fotosensibilidad alta
Baja capacitancia de unión
Tiempo de respuesta rápido