Fototransistor onsemi sensible a IR, rango onda λ 880 nm, corriente Ic 1.50mA, mont. pasante, Paquete Side-looker
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiEspectros Detectados
Infrarrojo
Spectrum(s) Detected
Infrared
Tiempo de Bajada Típico
8µs
Typical Rise Time
8µs
Number of Channels
1
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
25°
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
Side Looker
Dimensiones del Cuerpo
4.44 x 2.54 x 5.08mm
Corriente del Colector
1.50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
880nm
Rango Espectral de Sensibilidad
880 nm
Longitud:
4.44mm
Profundidad
2.54mm
Altura
5.08mm
Datos del producto
Fototransistor de infrarrojos serie QSE113/QSE114
La serie QSE113/QSE114, de Fairchild Semiconductor, es una gama de fototransistores de infrarrojos de silicio. Se encuentran en un encapsulado de vista lateral (SL) con orificio pasante. El encapsulado de plástico negro tiene un ángulo ancho y deja pasar el infrarrojo.
Características de los fototransistores de infrarrojos serie QSE113/QSE114:
Fototransistor infrarrojo NPN de silicio
Tipo de encapsulado: visor lateral
Ángulo medio de recepción amplio: 50°
Material y color del encapsulado: epoxi negro
Filtro de luz del día
Alta sensibilidad
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
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Cada Uno (En una Bolsa de 500) (Sin IVA)
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Infrared
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8µs
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Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
25°
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1
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
Side Looker
Dimensiones del Cuerpo
4.44 x 2.54 x 5.08mm
Corriente del Colector
1.50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
880nm
Rango Espectral de Sensibilidad
880 nm
Longitud:
4.44mm
Profundidad
2.54mm
Altura
5.08mm
Datos del producto
Fototransistor de infrarrojos serie QSE113/QSE114
La serie QSE113/QSE114, de Fairchild Semiconductor, es una gama de fototransistores de infrarrojos de silicio. Se encuentran en un encapsulado de vista lateral (SL) con orificio pasante. El encapsulado de plástico negro tiene un ángulo ancho y deja pasar el infrarrojo.
Características de los fototransistores de infrarrojos serie QSE113/QSE114:
Fototransistor infrarrojo NPN de silicio
Tipo de encapsulado: visor lateral
Ángulo medio de recepción amplio: 50°
Material y color del encapsulado: epoxi negro
Filtro de luz del día
Alta sensibilidad
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C
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