Par Darlington, NZT605, NPN 1,5 A, 110 V, HFE:200, SOT-223, 3 + Tab pines Simple

Código de producto RS: 806-1268PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NZT605
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

1.5 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

110 V

Tensión Máxima Emisor-Base

10 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.8 V

Maximum Collector Base Voltage

140 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

10nA

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.5mm

Altura

1.6mm

Ancho

3.5mm

Dimensiones del Cuerpo

6.5 x 3.5 x 1.6mm

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Datos del producto

Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

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P.O.A.

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Brand

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Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

1.5 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

110 V

Tensión Máxima Emisor-Base

10 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.8 V

Maximum Collector Base Voltage

140 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

10nA

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.5mm

Altura

1.6mm

Ancho

3.5mm

Dimensiones del Cuerpo

6.5 x 3.5 x 1.6mm

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Datos del producto

Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

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