Módulo IGBT, NXH80T120L2Q0P2TGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0Pack, 20-Pines

Código de producto RS: 195-8776Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NXH80T120L2Q0P2TG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

158000 mW

Tipo de Encapsulado

Q0PACK

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

20

Dimensiones del Cuerpo

70.1 x 32.7 x 12.33mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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P.O.A.

Módulo IGBT, NXH80T120L2Q0P2TGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0Pack, 20-Pines

24

Disponible en múltiplos de 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

P.O.A.

Módulo IGBT, NXH80T120L2Q0P2TGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0Pack, 20-Pines
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24

Disponible en múltiplos de 24
24P.O.A.
48P.O.A.
72P.O.A.
96P.O.A.
120P.O.A.
144P.O.A.
168P.O.A.
192P.O.A.
216P.O.A.
240P.O.A.
264P.O.A.
288P.O.A.
312P.O.A.
336P.O.A.
360P.O.A.

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

158000 mW

Tipo de Encapsulado

Q0PACK

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

20

Dimensiones del Cuerpo

70.1 x 32.7 x 12.33mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC