Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Serie
NVMFS6H818N
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Serie
NVMFS6H818N
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101