MOSFET onsemi NVMFS6H818NWFT1G, VDSS 80 V, ID 123 A, DFN de 5 pines, config. Simple

Código de producto RS: 172-3349Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMFS6H818NWFT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

123 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Serie

NVMFS6H818N

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46 nC a 10 V

Altura

1.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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N

Maximum Continuous Drain Current

123 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46 nC a 10 V

Altura

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

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