MOSFET onsemi NTZD5110NG, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 163-1146Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NTZD5110NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-563

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V, +6 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,7 nC a 4,5 V

Profundidad

1.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.6mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET onsemi NTZD5110NG, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

4000

Disponible en múltiplos de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

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Disipación de Potencia Máxima

280 mW

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Isolated

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Material del transistor

Si

Largo

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Profundidad

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