MOSFET onsemi NTPF082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-4258Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTPF082N65S3F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.9mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.63mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

16.12mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

País de Origen

China

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$ 4.002

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 4.762,38

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTPF082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 200.100
100$ 400.200
150$ 600.300
200$ 800.400
250$ 1.000.500
300$ 1.200.600
350$ 1.400.700
400$ 1.600.800
450$ 1.800.900
500$ 2.001.000
550$ 2.201.100
600$ 2.401.200
650$ 2.601.300
700$ 2.801.400
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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.9mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Longitud:

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