MOSFET onsemi NTP8G202NG, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Cascode

Código de producto RS: 882-9834Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NTP8G202NG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

350 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

65 W

Transistor Configuration

Cascode

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-18 V, +18 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.53mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,2 nC a 4,5 V

Ancho

4.83mm

Material del transistor

GaN

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

2.1V

Altura

15.75mm

País de Origen

Philippines

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N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

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600 V

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

350 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

65 W

Transistor Configuration

Cascode

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-18 V, +18 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.53mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,2 nC a 4,5 V

Ancho

4.83mm

Material del transistor

GaN

Temperatura Mínima de Operación

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