MOSFET onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 172-8986Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMFS6H801NT1G
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

166000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Ancho

5.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.1mm

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 2.492

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.965,48

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

$ 2.492

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.965,48

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 2.492$ 12.460
10 - 95$ 2.098$ 10.490
100 - 245$ 1.657$ 8.285
250 - 495$ 1.595$ 7.975
500+$ 1.391$ 6.955

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

166000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Ancho

5.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.1mm