Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.1mm
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 2.492
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.965,48
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 2.492 | $ 12.460 |
10 - 95 | $ 2.098 | $ 10.490 |
100 - 245 | $ 1.657 | $ 8.285 |
250 - 495 | $ 1.595 | $ 7.975 |
500+ | $ 1.391 | $ 6.955 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.1mm