MOSFET onsemi NTMFS5C442NTG, VDSS 40 V, ID 140 A, DFN de 4+Tab pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
140 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C442N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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P.O.A.
5
P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C442N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
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