Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
235 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
128 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C426N
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
235 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
128 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C426N
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V