MOSFET onsemi NTMD6N02G, VDSS 20 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 805-4525Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NTMD6N02R2G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 4,5 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET onsemi NTMD6N02G, VDSS 20 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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49 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

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Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

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Longitud

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