MOSFET onsemi NTMD4840NG, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1.95 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,8 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
1.95 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,8 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
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