MOSFET onsemi NTD6416ANLG, VDSS 100 V, ID 19 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.38mm