MOSFET onsemi NTD6414ANTG, VDSS 100 V, ID 32 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
37 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
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