MOSFET onsemi NTB6412ANG, VDSS 100 V, ID 58 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 719-2850Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NTB6412ANG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

57,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.29mm

Ancho

9.65mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

4.83mm

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P.O.A.

MOSFET onsemi NTB6412ANG, VDSS 100 V, ID 58 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

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D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

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