Transistor Darlington, NJD35N04G, NPN 4 A, 350 V, HFE:2000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
350 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2 V
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
250mA
Altura
2.38mm
Profundidad
7.49mm
Dimensiones
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
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3
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Número de Elementos por Chip
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Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2 V
Maximum Collector Base Voltage
700 V
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1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
250mA
Altura
2.38mm
Profundidad
7.49mm
Dimensiones
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
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