Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
59 V
Serie
AEC-Q101
Tipo de Encapsulado
D-PAK
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.21 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Plastic
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P.O.A.
Transistor MOSFET onsemi NID9N05BCLT4G, VDSS 59 V, ID 35 A, DPAK de 4 pines, 2elementos
2500
P.O.A.
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Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
59 V
Serie
AEC-Q101
Tipo de Encapsulado
D-PAK
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.21 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Plastic