Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
2
P.O.A.
2
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
117 W
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC