IGBT, NGTB40N120IHLWG, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
260 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
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N
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