MOSFET onsemi NDF08N60ZG, VDSS 600 V, ID 7,5 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
950 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Largo
10.63mm
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.12mm
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P.O.A.
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N
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7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
950 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
139000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Largo
10.63mm
Ancho
4.9mm
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Si
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