MOSFET onsemi NDD03N50ZT4G, VDSS 500 V, ID 2,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

58 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

Ancho

6.22mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

2.38mm