MOSFET onsemi NDD03N50Z-1G, VDSS 500 V, ID 2,6 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 719-2780Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NDD03N50Z-1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

58 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Profundidad

2.38mm

Material del transistor

Si

Altura

7.62mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET onsemi NDD03N50Z-1G, VDSS 500 V, ID 2,6 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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3

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3,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Disipación de Potencia Máxima

58 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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