Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común

Código de producto RS: 163-2654Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NCV1413BDR2G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

500 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

-50 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

16

Transistor Configuration

Common Emitter

Número de Elementos por Chip

7

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Largo

10mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Altura

1.5mm

Ancho

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Dimensiones del Cuerpo

10 x 4 x 1.5mm

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

500 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

-50 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

16

Transistor Configuration

Common Emitter

Número de Elementos por Chip

7

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Largo

10mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

125 °C

Altura

1.5mm

Ancho

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

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