Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común

Código de producto RS: 163-2654Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NCV1413BDR2G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

500 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

-50 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

16

Transistor Configuration

Common Emitter

Número de Elementos por Chip

7

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Longitud

10mm

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Altura

1.5mm

Profundidad

4mm

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Dimensiones del Cuerpo

10 x 4 x 1.5mm

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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P.O.A.

Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

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5 V

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SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

16

Transistor Configuration

Common Emitter

Número de Elementos por Chip

7

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Longitud

10mm

Temperatura máxima de funcionamiento

125 °C

Altura

1.5mm

Profundidad

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