Diodo, MUR4100E, Conmutación, 4A, 1000V, 100ns, Encapsulado 267-05, 2-Pines 1.85V, Conexión de silicio
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
Encapsulado 267-05
Corriente Continua Máxima Directa
4A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1000V
Configuración de diodo
Tornillo prisionero de cátodo
Tipo de Rectificador
Switching
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.85V
Número de Elementos por Chip
1
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
100ns
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
70A
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