Transistor Darlington, MMBTA63LT1G, PNP -500 mA, 30 V, HFE:5000, SOT-23, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-100nA
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Tensión Máxima Emisor-Base
-10 V
Tipo de Encapsulado
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Número de Elementos por Chip
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Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
-30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-100nA
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Longitud
3.04mm
Altura
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