JFET, MMBFJ309, N-Canal, 10 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 806-4320PMarca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: MMBFJ309
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 → 30mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

10 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Configuration

Single

Transistor Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

2.5pF

Capacidad Fuente-Puerta

5pF

Dimensiones del Cuerpo

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.92mm

Altura

0.93mm

Profundidad

1.3mm

Datos del producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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P.O.A.

JFET, MMBFJ309, N-Canal, 10 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
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3

Capacidad Drenador-Fuente

2.5pF

Capacidad Fuente-Puerta

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Dimensiones del Cuerpo

2.92 x 1.3 x 0.93mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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