Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 Ω
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Philippines
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 Ω
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
30 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Philippines