Emisor conmutado, FJP2160DTU, NPN 2 A 2.21V TO-220, 3 pines

Código de producto RS: 864-8950Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FJP2160DTU
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente DC Máxima del Colector

2 A

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Disipación de Potencia Máxima

100000 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

20

Conteo de Pines

3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

125 °C

Dimensiones

9.9 x 4.5 x 15.95mm

Datos del producto

Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor

Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

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Emisor conmutado, FJP2160DTU, NPN 2 A 2.21V TO-220, 3 pines
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NPN

Corriente DC Máxima del Colector

2 A

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TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Disipación de Potencia Máxima

100000 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

20

Conteo de Pines

3

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

125 °C

Dimensiones

9.9 x 4.5 x 15.95mm

Datos del producto

Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor

Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

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