Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
8, 15
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
700 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
9.9 x 4.5 x 9.2mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de alta tensión, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
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5
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
8, 15
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
700 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
9.9 x 4.5 x 9.2mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores NPN de alta tensión, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


