Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
26.9 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±10V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
Controlador de puerta nivel lógico
Protección contra ESD
Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Brand
ON SemiconductorCorriente Máxima Continua del Colector
26.9 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±10V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
Controlador de puerta nivel lógico
Protección contra ESD
Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.