onsemi FGB40T65SPD_F085 IGBT, 40 A 650 V, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Código de producto RS: 135-8687Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FGB40T65SPD_F085
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

267 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

2+Tab

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

1520pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

IGBT para automoción, Fairchild Semiconductor

Una gama de IGBT Field Stop Trench de Fairchild Semiconductor que se ha sometido a pruebas de tensión y cumple con la norma AEC-Q101.

Características

• Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
• Capacidad de corriente alta
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
• Distribución de parámetros estrecha

Códigos de producto RS


864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263 (Paquete de 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247 (Paquete de 30)

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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8P.O.A.
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Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

267 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

2+Tab

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

1520pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

IGBT para automoción, Fairchild Semiconductor

Una gama de IGBT Field Stop Trench de Fairchild Semiconductor que se ha sometido a pruebas de tensión y cumple con la norma AEC-Q101.

Características

• Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
• Capacidad de corriente alta
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
• Distribución de parámetros estrecha

Códigos de producto RS


864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263 (Paquete de 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247 (Paquete de 30)

Standards

AEC-Q101

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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