MOSFET onsemi FDMS1D4N03, VDSS 30 V, ID 211 A, PQFN de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-4094Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FDMS1D4N03S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

211 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,09 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

74000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Ancho

5.85mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

102 nC a 10 V

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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N

Maximum Continuous Drain Current

211 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,09 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

74000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Ancho

5.85mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

102 nC a 10 V

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura Mínima de Operación

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