MOSFET onsemi FCU850N80Z, VDSS 800 V, ID 6 A, IPAK de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 172-3430Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FCU850N80Z
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

850 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V dc, ±30 V ac

Profundidad

2.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Altura

7.57mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET onsemi FCU850N80Z, VDSS 800 V, ID 6 A, IPAK de 3 pines, config. Simple

1800

Disponible en múltiplos de 1800
1800P.O.A.
3600P.O.A.
5400P.O.A.
7200P.O.A.
9000P.O.A.
10800P.O.A.
12600P.O.A.
14400P.O.A.
16200P.O.A.
18000P.O.A.
19800P.O.A.
21600P.O.A.
23400P.O.A.
25200P.O.A.
27000P.O.A.

P.O.A.

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1800P.O.A.
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ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

850 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V dc, ±30 V ac

Profundidad

2.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

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