MOSFET onsemi FCU360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, IPAK de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
IPAK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Ancho
2.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
6.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
75
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N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
IPAK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Ancho
2.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
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